ش | ی | د | س | چ | پ | ج |
1 | 2 | 3 | 4 | |||
5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 |
12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 |
19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 |
26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل : word (..doc) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 85 صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
1
1
فصل اول
مشخصات JFET
1ـ1 مقدمه
ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعهای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار میرود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت میکند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.
اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده میشود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال میشود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل میشود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.
1
2
شکل (1ـ1) (الف) تقویت کننده کنترل جریان (ب) تقویت کننده کنترل ولتاژ
درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفرهها. FET قطعهای تکقطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.
عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که برادههای فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود میکشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی برادههای آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب میکند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود میآید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل میکند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.
1
4
این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصههای آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصهای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازههای 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر میشود. و این شاخصهای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کنندههای BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثباتتر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشههای مدار مجتمع (آیسی) کارآمد میسازد. مشخصههای ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.
دو نوع FET در این فصل معرفی میشود: ترانزیستور اثر میدانی پیوندی (JFET) و ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOS-FET)، دسته MOSFET خود به دو نوع تهی و افزایشی تقسیم میشوند که هر دو نوع آن شرح داده میشوند. ترانزیستور MOSFET یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در طراحی و ساخت مدارهای مجتمع کامپیوترهاست. ثبات حرارتی، و دیگر مشخصههای اصلی آنها، کاربردشان را در طراحی مدارهای کامپیوتری متداول ساخته است
1
5
.
2ـ1ـ ساختمان و مشخصههای JFETها
همانگونه که پیش از این نشان داده شد، JFET یک قطعه سه پایانه است که یک پایانه آن قادر است جریان بین دو پایانه دیگر را کنترل کند. در ترانزیستور JFET، قطعة با کانال n به مثابه قطعه اصلی و مهم به تفصیل شرح داده خواهد شد ولی بخشهایی برای توضیح JFET کانال p نیز اختصاص خواهد داشت.
ساختمان اصلی JFET کانال n در شکل (2ـ1) نشان داده شده است. توجه کنید که قسمت اصلی ساختمان JFET را ماده کانال n تشکیل میدهد که لایههای ماده نوع P در طرفین آن جای داده شده است. قسمت فوقانی کانال n بوسیله یک اتصال اهمی به پایانهای به نام درین (D) متصل است. دو ماده نوع p به یکدیگر و به پایانهای موسوم به گیت (G) وصل است. بنابراین، اساساً درین و سورس به دو انتهای کانال نوع n و گیت به دو لایه نوع p وصل میشود. در نبودن یک پتانسیل و تغذیه نشدن، JFET دارای دو پیوند p-n است. در نتیجه یک ناحیه تهی مطابق شکل (2ـ1) در هر پیوند بوجود میآید که به ناحیه مشابه آن در دیود بدون ولتاژ شباهت دارد. به یاد داشته باشید که ناحیه تهی، ناحیهای است خالی از حاملهای آزاد و بنابراین ناتوان از هدایت در این ناحیه.
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل : powerpoint (..ppt) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد اسلاید : 44 اسلاید
قسمتی از متن powerpoint (..ppt) :
آزمایش میدانی و طرح های درون آزمودنیها
آزمایش میدانی وطرحهای درون آزمودنیها
آزمایش میدانی:
مردم اغلب هنگام تفکر درمورد آزمایشهای مختلف یک آزمایشگاه مجهز را متصور می شوند. البته آزمایشگاه مناسب الزاماً به یک آزمایش صحیح منجر نمی شود. یکی از مجموعه فعالیت هایی که منجر به افزایش موفقیت آزمایش می شود،آرایش تصادفی است.(عدم وابستگی به مکان خاص).
تعریف :آزمایش میدانی عبارتست از انجام آزمایش درمحیط طبیعی.
مزایای آزمایش میدانی:
1) افزایش توان آزمایش 2) تعمیم نتایج به شرایط طبیعی تر
3) تعمیم نتایج به گروههای مختلف 4) اطمینان از واقعی بودن واکنش آزمودنیها
دلایل استفاده از آزمایش میدانی:
1)اعتبار بیرونی( External validity ):
الف)یعنی تعمیم یافته های آزمایش به شرایط خارج از آزمایشگاه یا به عبارتی اولین هدف تعمیم یافته های آزمایشگاه به موقعیتی فراتر از آن است.
هدف آزمایش میدانی پاسخ به این سؤال است:آیا نتایج آزمایشگاهی را می توان در شرایط طبیعی نیز بدست آورد؟
ب)هدف دیگر تعمیم یافته های آزمایشگاهی به گروههای مختلف مردم است که با نمونه هایی که اغلب در آزمایشها به صورت داوطلبانه انتخاب می شوند،متفاوت هستند.(مثلاً انتخاب دانشجویان یک رشته خاص و....).
2)اعتبار سازه( Construct validity ):
- در آزمایشگاه ممکن است به دلایل گوناگون(مثل رضایت آزمونگر و...)نتایج حاصله، واقعی نباشد و بیشتر جنبه ی تصنعی داشته باشد وبخواهند فرضیه مورد آزمون را تاًیید کنند.
- برای آزمودنیهای آزمایش میدانی تمام شرایط و فعالیت ها طبیعی هستند.پس احتمال پاسخ طبیعی بیشتر است ونمی خواهند فرضیه ای را رد یا تأییدکنند.در نتیجه سازه فرضی یا ساختگی ،اندازه گیری ومورد آزمون قرار نمی گیرد.