پاورپوینت ترانزیستور

پاورپوینت ترانزیستور

فرمت فایل دانلودی: .zip
فرمت فایل اصلی: .ppt
تعداد صفحات: 103
حجم فایل: 1987 کیلوبایت
قیمت: 7000 تومان

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل :  powerpoint (..ppt) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد اسلاید : 103 اسلاید

 قسمتی از متن powerpoint (..ppt) : 
 

بنام خدا
ترانزیستور MOSFET
مقدمه
در فصل قبل دیود که المانی دو ترمینالی بود را بررسی کردیم. در این فصل و فصل بعدی المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد.
ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد.
اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند.
دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT
MOSFET از BJT کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
این ترانزیستور بر روی یک پایه از نوع p ساخته میشود. بر روی پایه دو ناحیه با نیمه هادی نوع n که دارای ناخالصی زیادی هستند ایجاد میشود. این نواحی سورس و درین نامیده میشوند که با یک اتصال فلزی دردسترس قرار میگیرند.
بین این دو ناحیه و در سطح پایه عایقی از جنس شیشه کشیده میشود. برروی این عایق یک لایه فلز قرار داده میشود که اتصالی با نام گیت بوجود می آورد.
ممکن است پایه نیز به یک اتصال فلزی وصل شود.
Figure 4.1 Physical structure of the enhancement-type NMOS transistor: (a) perspective view; (b) cross-section. Typically L = 0.1 to 3 m m, W = 0.2 to 100 m m, and the thickness of the oxide layer (t ox ) is in the range of 2 to 50 nm.
نحوه عملکرد
این ترانزیستور بصورت یک المان با سه ترمینال Source, Drain , Gate مورد استفاده قرارمیگیرد.
اگر ولتاژی به گیت وصل نشده باشد بین سورس و درین دو دیود وجود خواهند داشت: یکی بین n سورس و p پایه و دیگری بین p پایه و n درین.
چون این دو دیود پشت به پشت به هم وصل شده اند هیچ جریانی بین سورس و درین نمیتواند برقرارشود.
مقاومت بین سورس و درین خیلی زیاد خواهد بود.
در واقع یک ناحیه تخلیه بین دو قطعه p,n مجاور تشکیل میشود که از عبور جریان بین پایه و درین و همچنین پایه و سورس جلوگیری میکند.

 

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

پاورپوینت ترانزیستور

پاورپوینت ترانزیستور

فرمت فایل دانلودی: .zip
فرمت فایل اصلی: .ppt
تعداد صفحات: 103
حجم فایل: 1987 کیلوبایت
قیمت: 10000 تومان

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل :  powerpoint (..ppt) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد اسلاید : 103 اسلاید

 قسمتی از متن powerpoint (..ppt) : 
 

بنام خدا
ترانزیستور MOSFET
مقدمه
در فصل قبل دیود که المانی دو ترمینالی بود را بررسی کردیم. در این فصل و فصل بعدی المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد.
ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد.
اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند.
دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT
MOSFET از BJT کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
این ترانزیستور بر روی یک پایه از نوع p ساخته میشود. بر روی پایه دو ناحیه با نیمه هادی نوع n که دارای ناخالصی زیادی هستند ایجاد میشود. این نواحی سورس و درین نامیده میشوند که با یک اتصال فلزی دردسترس قرار میگیرند.
بین این دو ناحیه و در سطح پایه عایقی از جنس شیشه کشیده میشود. برروی این عایق یک لایه فلز قرار داده میشود که اتصالی با نام گیت بوجود می آورد.
ممکن است پایه نیز به یک اتصال فلزی وصل شود.
Figure 4.1 Physical structure of the enhancement-type NMOS transistor: (a) perspective view; (b) cross-section. Typically L = 0.1 to 3 m m, W = 0.2 to 100 m m, and the thickness of the oxide layer (t ox ) is in the range of 2 to 50 nm.
نحوه عملکرد
این ترانزیستور بصورت یک المان با سه ترمینال Source, Drain , Gate مورد استفاده قرارمیگیرد.
اگر ولتاژی به گیت وصل نشده باشد بین سورس و درین دو دیود وجود خواهند داشت: یکی بین n سورس و p پایه و دیگری بین p پایه و n درین.
چون این دو دیود پشت به پشت به هم وصل شده اند هیچ جریانی بین سورس و درین نمیتواند برقرارشود.
مقاومت بین سورس و درین خیلی زیاد خواهد بود.
در واقع یک ناحیه تخلیه بین دو قطعه p,n مجاور تشکیل میشود که از عبور جریان بین پایه و درین و همچنین پایه و سورس جلوگیری میکند.

 

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

دانلود تحقیق و پاورپوینت

تحقیق ترانزیستور 23 ص

تحقیق ترانزیستور 23 ص

فرمت فایل دانلودی: .zip
فرمت فایل اصلی: .DOC
تعداد صفحات: 23
حجم فایل: 35 کیلوبایت
قیمت: 8000 تومان

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل :  word (..DOC) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 23 صفحه

 قسمتی از متن word (..DOC) : 
 

‏2
‏ترانزیستور‏ را معمولاً به عنوان یکی از قطعات ‏الکترونیک‏ می‌‌شناسند. ترانزیستور یکی از ‏ادوات حالت جامد‏ است که از مواد ‏نیمه رسانا‏یی مانند ‏سیلیسیم‏ (‏سیلیکان‏) ساخته می‌شود.
‏تاریخچه :
‏سه نفر از دانشمندان لابراتوارهای بل در صدد کشف چیزی بودند که به جای لامپ رادیو ‏به کار برند ولی کوچکتر و محکمتر باشد برق کمتری مصرف کند و دوام بیشتری داشته باشد ‏و برر اثر کار زیاد نسوزد که ناگهان ترانزیستور را کشف کردند که تمام این خصوصیات ‏را به علاوه مزایای بیشتری دارا است.
‏در 30 ژوئن 1948 دکتر جان باردین و ‏والد براتاین دانشمندان آزمایشگاه تحقیقاتی شرکت بل، واقع در نیویورک خبر اختراع ‏خود را به عموم جهان رساندند. این اختراع ترانزیستور نام گرفت.
‏یک ‏ترانزیستور که بزرگتر از یک عدس نیست تقریباْ قادر است هر کاری را که لامپ‌های خلاء ‏انجام می‌دادند، انجام دهد. به علاوه کارهایی را هم که این لامپها قادر به انجام آن ‏نبودند انجام می‌دهد. به مرور زمان ترانزیستور جای لامپهای خلاء را گرفت. درست مثل ‏اتومبیل که جای گاریهای قدیمی و اسبی را گرفت.
‏اگر چه ترانزیستور می تواند ‏کارهای لامپ خلاء را انجام دهد، اما اصلاْ شباهتی به آن ندارد. نه کاتدی دارد و نه ‏شبکه و صفحه ای حتی شکل ظاهری آن هم با لامپ خلاء کاملاْ متفاوت است. ترانزیستور یک ‏وسیله یک سو کننده و نوسان ساز بسیار عالی است و رل مهمی در تمامی صنایع جدید به ‏عهده دارد. ترانزیستور بدون آنکه نیازی به گرم شدن داشته باشد به محض برقراری اتصال ‏و ولتاژ شروع به کار می کند. جریان مصرفی آن، یک هزارم جریان مصرفی لامپ معمولی
‏2
‏است. به همین دلیل بسیار ارزانتر و استفاده از آْن ساده‌تر است.
‏ترانزیستور ‏و مدار کوچک یکپارچه این امکان را به وجود آورد که رادیوهای کوچک جیبی و ‏تلویزیونهای کوچکتر با تصویر بزرگتر ساخته شود. یک صنعت کاملا جدید پا به عرصه وجود ‏گاشت. امروز از برکت دستگاه تنظیم قلب که با ترانزیستور کار می کند قلب بسیاری از ‏بیماران به حال عادی می طپد. نابینایان با کمک دستگاههای ترانزیستوری می توانند ‏موانع را ببینند نوار قلبی بیمار بستری را به وسیله تلفن به کارشناس قبل در هر نقطه ‏دنیا که باشد می فرستند. هواپیماهای جت با سیستم هدایت سبک وزنی مجهز هستند و ‏بالاخره همین مدار بسته یکپارچه است که امکانات سفر بشر به ماه را فراهم ‏نمود.
‏مصرف ترانزیستور به طور روزافزونی رو به ازدیاد است. در رادیو، ‏تلویزیون، مدارات الکترونیکی، هواپیما، رایانه، پزشکی و موشک ترانزیستور استفاده ‏می‌شود. در ابتدا وجود ترانزیستور باعث شد که ارتباطات تلفنی راه دور، به طور ‏مستقیم و بدون استفاه از اپراتور امکان پذیر شود. برای اولین بار در تاریخ، ارتباط ‏بین دو شهر انگل وود و نیوجرسی با استفاده از ترانزیستور برقرار شد.
‏امروزه ‏بعد از گذشت حدود نیم قرن ازاختراع ترانزیستور و مشتقات آن کار به جایی رسیده است ‏که هر کس می تواند در منزل رایانه شخصی داشته باشد. ترانزیستور معمولی چیزی بیشتر ‏از دو تکه سیم بسیار کوچک که در یک پولک ساخته شده از ژرمانیم یا سیلیکن قرار داده ‏شده نیست.
‏تئوری کار ترانزیستور کمی پیچیده و تکنیکی است اما هر چه هست در
‏3
‏ساخت آن از خواص نیمه رسانا استفاده شده است که از زمان کشف آن مدت زیادی نمی ‏گذرد.
‏در نیمه رساناها مثل ژرمانیم و سیلیکن تعداد کمی الکترون حامل جریان ‏وجود دارد شاید یک الکترون در هر یک میلیون اتم. اگر چه این رقم خیلی کوچک است، اما ‏می توان با تغییر ساختمان داخلی مواد، با استفاده از میدانهای الکتریکی این رقم را ‏هزار برابر نمود.
‏برای روشن تر شدن مفهوم بالا باید ساختمان اتم را کمی ‏بیشتر مطالعه کرد. الکترونهای موجود در مواد نارسانا در مدارهای مختلف بهصورت حلقه ‏ای در اطراف هسته اتم در چرخش هستند و سرعت زیاد و تولید انرژی فراوان سبب می شود ‏که الکترونها نتوانند از مسیر خود منحرف و یا جابجا شوند.
‏در نتیجه ‏الکترونها امکان برقراری هیچ نوع جریان الکتریکی را نمی یابند. در اجسام نارسانا، ‏پوسته الکترونی و یا باند ظرفیتی آن(آخرین حلقه الکترون دار به دور هسته اتم) از ‏باند هدایت جدا بوده و انرژی بسیار زیادی لازم است تا یک الکترون را از پوسته ‏الکترونی جدا کند و به باند هدایت کننده بفرستد. اما در اجسام رسانا مانند فلزات ‏این پوسته الکترونی یا باند هدایت کننده تداخل پیدا کرده و الکترونهای به راحتی ‏جابجا می شوند.
‏در یک عنصر نیمه رسانا مانند ژرمانیم و یا سیلیکن الکترونهای ‏موجود در باند ظرفیت نزدیک به باند هدایت کننده قرار ندارند اما می توان با تحریک ‏خارجی آنها را در هم داخل کرد. به طور مثال گرمای محیط و اتاق می تواند تعداد زیادی ‏الکترونهای اتم ژرمانیم را به باند هدایت بفرستد و در اثر این جابجایی حفره هایی در ‏محل های قبلی الکترونها به وجود می آید
‏5
.
‏این حفره ها حامل بار مثبت بوده و ‏حاضر به پذیرش الکترونهای عناصر قبلی و مواد دیگر هستند. حفره ها نه تنها الکترونها ‏را می پدیرند بلکه خود به طرف باند هادی حرکت می کنند و در اثر این حرکت جریانی را ‏به وجود می آورند و در عین حال الکترونها را هم در مسیر همین جریان با خود حمل می ‏کنند.
‏کمترین تحریک خارجی حفره ها را در جهت حفره هایی که از فرار لکترونها ‏به سمت باند هادی به وجود آمده است به حرکت درآورده و این حفره های متحرک علاوه بر ‏اینکه خود تولید جریان می نمایند، الکترونهایی را که از مواد خارجی دیگر به داخل ‏اتم ژرمانیم وارد شده اند حمل کرده و در نتیجه باعث افزایش جریان می ‏شوند.
‏تشریحات آزمایشگاه تحقیقاتی بل در اول جولای سال 1948 چنین می گوید: ‏کار ترانزیستور بر پایه این حقیقت که الکترونهای موجود در نیمه رساناها می توانند ‏به دو صورت متفاوت جریان را برقرار کنند، قرار دارد. بیشتر الکترونهای موجود در ‏نیمه رسانا اصولاٌ‌ کمکی به برقراری جریان نمی کنند. بلکه آنها در وضعیت ثابتی به ‏هم چسبیده اند.
‏درست مثل اینکه آنها را با چسب به هم چسبانده باشند. تنها ‏وقتی که یکی از این الکترونها از جای خود خارج شود و یا به طریقی یک الکترون خارجی ‏به مجموعه آنها وارد شود، جریان برقرار می شود. به زبان دیگر اگر یکی از الکترونهای ‏موجود در مجموعه به هم چسبیده از محل خود جدا شود حفره ای که در اثر این جابجایی ‏بوجود می آید مانند حباب هوای موجود در مایع می تواند حرکت کند و جریانی را برقرار ‏سازد.
‏در ترانزیستوری که از واد نیمه رسانا ساخته شده است به طور معمول فقط

 

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

دانلود تحقیق و پاورپوینت

تحقیق ترانزیستور اثر میدانی 90 ص

تحقیق ترانزیستور اثر میدانی 90 ص

فرمت فایل دانلودی: .zip
فرمت فایل اصلی: .doc
تعداد صفحات: 85
حجم فایل: 1377 کیلوبایت
قیمت: 8000 تومان

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل :  word (..doc) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 85 صفحه

 قسمتی از متن word (..doc) : 
 

‏1
‏1
‏فصل اول
‏مشخصات JFET
‏1ـ1 مقدمه
‏ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET‏) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT‏ رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.
‏اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT‏ همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET‏ همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC‏ در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB‏ است. در FET‏ جریان I‏ تابعی از ولتاژ VGS‏ است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.
‏1
‏2
‏شکل (1ـ1) (الف) تقویت کننده کنترل جریان (ب) تقویت کننده کنترل ولتاژ
‏درست مانند ترانزیستورهای npn‏ و pnp‏ قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n‏ و کانال p‏ هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT‏ یک قطعه دو قطبی (bipolar)‏ است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET‏ قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n‏) و یا حفره (کانال p‏) وابسته است.
‏عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET‏، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.
‏1
‏4
‏این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET‏، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1‏ تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT‏ بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac‏ خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT‏ بیشتر از FET‏ها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac‏ تقویت کننده‌های BJT‏ خیلی بیشتر از FET‏هاست. بطور کلی، FET‏ها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJT‏ها هستند. FET‏ها معمولاً از نظر ساختمان از BJT‏ها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FET‏ها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.
‏دو نوع FET‏ در این فصل معرفی می‌شود: ترانزیستور اثر میدانی پیوندی (JFET)‏ و ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOS-FET)‏، دسته MOSFET‏ خود به دو نوع تهی و افزایشی تقسیم می‌شوند که هر دو نوع آن شرح داده می‌شوند. ترانزیستور MOSFET‏ یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در طراحی و ساخت مدارهای مجتمع کامپیوترهاست. ثبات حرارتی، و دیگر مشخصه‌های اصلی آنها، کاربردشان را در طراحی مدارهای کامپیوتری متداول ساخته است
‏1
‏5
‏.
‏2ـ1ـ ساختمان و مشخصه‌های JFET‏ها
‏همانگونه که پیش از این نشان داده شد، JFET‏ یک قطعه سه پایانه است که یک پایانه آن قادر است جریان بین دو پایانه دیگر را کنترل کند. در ترانزیستور JFET‏، قطعة با کانال n‏ به مثابه قطعه اصلی و مهم به تفصیل شرح داده خواهد شد ولی بخش‌هایی برای توضیح JFET‏ کانال p‏ نیز اختصاص خواهد داشت.
‏ساختمان اصلی JFET‏ کانال n‏ در شکل (2ـ1) نشان داده شده است. توجه کنید که قسمت اصلی ساختمان JFET‏ را ماده کانال n‏ تشکیل می‌دهد که لایه‌های ماده نوع P‏ در طرفین آن جای داده شده است. قسمت فوقانی کانال n‏ بوسیله یک اتصال اهمی به پایانه‌ای به نام درین (D)‏ متصل است. دو ماده نوع p‏ به یکدیگر و به پایانه‌ای موسوم به گیت (G)‏ وصل است. بنابراین، اساساً درین و سورس به دو انتهای کانال نوع n‏ و گیت به دو لایه نوع p‏ وصل می‌شود. در نبودن یک پتانسیل و تغذیه نشدن، JFET‏ دارای دو پیوند p-n‏ است. در نتیجه یک ناحیه تهی مطابق شکل (2ـ1) در هر پیوند بوجود می‌آید که به ناحیه مشابه آن در دیود بدون ولتاژ شباهت دارد. به یاد داشته باشید که ناحیه تهی، ناحیه‌ای است خالی از حاملهای آزاد و بنابراین ناتوان از هدایت در این ناحیه.

 

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

دانلود تحقیق و پاورپوینت

دانلود پاورپوینت ترانزیستور

پاورپوینت ترانزیستور

فرمت فایل دانلودی: .zip
فرمت فایل اصلی: .ppt
تعداد صفحات: 103
حجم فایل: 1987 کیلوبایت
قیمت: 7000 تومان

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل :  powerpoint (..ppt) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد اسلاید : 103 اسلاید

 قسمتی از متن powerpoint (..ppt) : 
 

بنام خدا
ترانزیستور MOSFET
مقدمه
در فصل قبل دیود که المانی دو ترمینالی بود را بررسی کردیم. در این فصل و فصل بعدی المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد.
ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد.
اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند.
دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT
MOSFET از BJT کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
این ترانزیستور بر روی یک پایه از نوع p ساخته میشود. بر روی پایه دو ناحیه با نیمه هادی نوع n که دارای ناخالصی زیادی هستند ایجاد میشود. این نواحی سورس و درین نامیده میشوند که با یک اتصال فلزی دردسترس قرار میگیرند.
بین این دو ناحیه و در سطح پایه عایقی از جنس شیشه کشیده میشود. برروی این عایق یک لایه فلز قرار داده میشود که اتصالی با نام گیت بوجود می آورد.
ممکن است پایه نیز به یک اتصال فلزی وصل شود.
Figure 4.1 Physical structure of the enhancement-type NMOS transistor: (a) perspective view; (b) cross-section. Typically L = 0.1 to 3 m m, W = 0.2 to 100 m m, and the thickness of the oxide layer (t ox ) is in the range of 2 to 50 nm.
نحوه عملکرد
این ترانزیستور بصورت یک المان با سه ترمینال Source, Drain , Gate مورد استفاده قرارمیگیرد.
اگر ولتاژی به گیت وصل نشده باشد بین سورس و درین دو دیود وجود خواهند داشت: یکی بین n سورس و p پایه و دیگری بین p پایه و n درین.
چون این دو دیود پشت به پشت به هم وصل شده اند هیچ جریانی بین سورس و درین نمیتواند برقرارشود.
مقاومت بین سورس و درین خیلی زیاد خواهد بود.
در واقع یک ناحیه تخلیه بین دو قطعه p,n مجاور تشکیل میشود که از عبور جریان بین پایه و درین و همچنین پایه و سورس جلوگیری میکند.

 

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

دانلود تحقیق و پاورپوینت