تحقیق ترانزیستور اثر میدانی 90 ص

تحقیق ترانزیستور اثر میدانی 90 ص

فرمت فایل دانلودی: .zip
فرمت فایل اصلی: .doc
تعداد صفحات: 85
حجم فایل: 1377 کیلوبایت
قیمت: 8000 تومان

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل :  word (..doc) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 85 صفحه

 قسمتی از متن word (..doc) : 
 

‏1
‏1
‏فصل اول
‏مشخصات JFET
‏1ـ1 مقدمه
‏ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET‏) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT‏ رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.
‏اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT‏ همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET‏ همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC‏ در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB‏ است. در FET‏ جریان I‏ تابعی از ولتاژ VGS‏ است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.
‏1
‏2
‏شکل (1ـ1) (الف) تقویت کننده کنترل جریان (ب) تقویت کننده کنترل ولتاژ
‏درست مانند ترانزیستورهای npn‏ و pnp‏ قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n‏ و کانال p‏ هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT‏ یک قطعه دو قطبی (bipolar)‏ است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET‏ قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n‏) و یا حفره (کانال p‏) وابسته است.
‏عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET‏، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.
‏1
‏4
‏این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET‏، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1‏ تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT‏ بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac‏ خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT‏ بیشتر از FET‏ها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac‏ تقویت کننده‌های BJT‏ خیلی بیشتر از FET‏هاست. بطور کلی، FET‏ها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJT‏ها هستند. FET‏ها معمولاً از نظر ساختمان از BJT‏ها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FET‏ها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.
‏دو نوع FET‏ در این فصل معرفی می‌شود: ترانزیستور اثر میدانی پیوندی (JFET)‏ و ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOS-FET)‏، دسته MOSFET‏ خود به دو نوع تهی و افزایشی تقسیم می‌شوند که هر دو نوع آن شرح داده می‌شوند. ترانزیستور MOSFET‏ یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در طراحی و ساخت مدارهای مجتمع کامپیوترهاست. ثبات حرارتی، و دیگر مشخصه‌های اصلی آنها، کاربردشان را در طراحی مدارهای کامپیوتری متداول ساخته است
‏1
‏5
‏.
‏2ـ1ـ ساختمان و مشخصه‌های JFET‏ها
‏همانگونه که پیش از این نشان داده شد، JFET‏ یک قطعه سه پایانه است که یک پایانه آن قادر است جریان بین دو پایانه دیگر را کنترل کند. در ترانزیستور JFET‏، قطعة با کانال n‏ به مثابه قطعه اصلی و مهم به تفصیل شرح داده خواهد شد ولی بخش‌هایی برای توضیح JFET‏ کانال p‏ نیز اختصاص خواهد داشت.
‏ساختمان اصلی JFET‏ کانال n‏ در شکل (2ـ1) نشان داده شده است. توجه کنید که قسمت اصلی ساختمان JFET‏ را ماده کانال n‏ تشکیل می‌دهد که لایه‌های ماده نوع P‏ در طرفین آن جای داده شده است. قسمت فوقانی کانال n‏ بوسیله یک اتصال اهمی به پایانه‌ای به نام درین (D)‏ متصل است. دو ماده نوع p‏ به یکدیگر و به پایانه‌ای موسوم به گیت (G)‏ وصل است. بنابراین، اساساً درین و سورس به دو انتهای کانال نوع n‏ و گیت به دو لایه نوع p‏ وصل می‌شود. در نبودن یک پتانسیل و تغذیه نشدن، JFET‏ دارای دو پیوند p-n‏ است. در نتیجه یک ناحیه تهی مطابق شکل (2ـ1) در هر پیوند بوجود می‌آید که به ناحیه مشابه آن در دیود بدون ولتاژ شباهت دارد. به یاد داشته باشید که ناحیه تهی، ناحیه‌ای است خالی از حاملهای آزاد و بنابراین ناتوان از هدایت در این ناحیه.

 

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

دانلود تحقیق و پاورپوینت